MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN36N100, VDSS 1 kV, ID 36 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 193-795
- Referência do fabricante:
- IXFN36N100
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
76,35 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 19 unidade(s) a partir do dia 14 de abril de 2026
- Mais 10 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de abril de 2026
- Mais 10 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 76,35 € |
| 2 - 4 | 72,53 € |
| 5 + | 68,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 193-795
- Referência do fabricante:
- IXFN36N100
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 240mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 380nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 700W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Anchura | 25.42 mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 380nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 700W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Anchura 25.42 mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 36 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 28 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 24 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN24N100, VDSS 1 kV, ID 24 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN32N100Q3, VDSS 1 kV, ID 28 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTN22N100L, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 46 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines