MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTN22N100L, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*

536,98 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 250 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
10 +53,698 €536,98 €

*preço indicativo

Código RS:
168-4610
Referência do fabricante:
IXTN22N100L
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Encapsulado

SOT-227

Serie

Linear

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

270nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

700W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

38.2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.6mm

Anchura

25.07 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
US

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear


MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados