Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2F12M12W2-F1, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2

El módulo STMicroelectronics está diseñado como módulo de potencia en una topología de cuatro paquetes que integra tecnología MOSFET de potencia de carburo de silicio avanzada. El módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico.

Topología de cuatro paquetes
Módulo de potencia ACEPACK 2
13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor
Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms
Sensor de temperatura NTC integrado
DBC basado en Cu-Al2O3-Cu
Contactos de ajuste de presión
Excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura