Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora
- Código RS:
- 249-6717
- Referência do fabricante:
- A2F12M12W2-F1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bandeja de 18 unidades)*
4 040,658 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 18 + | 224,481 € | 4 040,66 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-6717
- Referência do fabricante:
- A2F12M12W2-F1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | ACEPACK 2 | |
| Serie | A2F | |
| Tipo de montaje | Chasis | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado ACEPACK 2 | ||
Serie A2F | ||
Tipo de montaje Chasis | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El módulo STMicroelectronics está diseñado como módulo de potencia en una topología de cuatro paquetes que integra tecnología MOSFET de potencia de carburo de silicio avanzada. El módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico.
Topología de cuatro paquetes
Módulo de potencia ACEPACK 2
13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor
Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms
Sensor de temperatura NTC integrado
DBC basado en Cu-Al2O3-Cu
Contactos de ajuste de presión
Excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura
Links relacionados
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2F12M12W2-F1, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8 pines, config.
- Conjuntos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal M2TP80M12W2-2LA, VDSS 1200 V, ID 30 A, ACEPACK DMT-32, Mejora de 32
- Conjuntos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal M2P45M12W2-1LA, VDSS 1200 V, ID 30 A, ACEPACK DMT-32, Mejora de 32
- Módulo de potencia SiC onsemi, VDSS 1200 V, F1-2PACK
- Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, F1-2PACK
- MOSFET STMicroelectronics ADP480120W3, VDSS 1200 V, ID 488 A, ACEPACK DRIVE de 9 pines