Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM180D12P3C007, Mejora de 4 pines, 2
- Código RS:
- 144-2254
- Referência do fabricante:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 144-2254
- Referência do fabricante:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Serie | BSM | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 45.6mm | |
| Altura | 17mm | |
| Longitud | 122mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Serie BSM | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 45.6mm | ||
Altura 17mm | ||
Longitud 122mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Módulos de potencia SiC, ROHM
El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente baja de transitorios
Pérdidas de potencia por conmutación bajas
Conmutación de alta velocidad
Baja temperatura de funcionamiento
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.