Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM180D12P3C007, Mejora de 4 pines, 2

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Código RS:
144-2254
Referência do fabricante:
BSM180D12P3C007
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Serie

BSM

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

17mm

Longitud

122mm

Anchura

45.6mm

Número de elementos por chip

2

COO (País de Origem):
JP

Módulos de potencia SiC, ROHM


El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.

Configuración de medio puente

Corriente baja de transitorios

Pérdidas de potencia por conmutación bajas

Conmutación de alta velocidad

Baja temperatura de funcionamiento

Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.

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