MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 fita de 10 unidades)*

6,61 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 2310 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Fita*
10 - 900,661 €6,61 €
100 - 2400,622 €6,22 €
250 - 4900,562 €5,62 €
500 - 9900,529 €5,29 €
1000 +0,496 €4,96 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
121-9657
Referência do fabricante:
SI4403CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOIC

Serie

Si4403CDY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.66V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Altura

1.55mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.