MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 812-3215
- Referência do fabricante:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
13,46 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 200 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
- Mais 460 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,673 € | 13,46 € |
| 100 - 180 | 0,538 € | 10,76 € |
| 200 - 480 | 0,511 € | 10,22 € |
| 500 - 980 | 0,485 € | 9,70 € |
| 1000 + | 0,457 € | 9,14 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 812-3215
- Referência do fabricante:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4431CDY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 49mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -0.71V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.55mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4431CDY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 49mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -0.71V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.55mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 7.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4447ADY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 7.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4435DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 7.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo P-Canal Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 4.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4925DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
