MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 812-3215
- Referência do fabricante:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 100 para poupar 19%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
16,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 40 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 460 unidade(s) para enviar a partir do dia 17 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,82 € | 16,40 € | - |
| 100 - 180 | 0,656 € | 13,12 € | 19% |
| 200 - 480 | 0,622 € | 12,44 € | 24% |
| 500 - 980 | 0,591 € | 11,82 € | 27% |
| 1000 + | 0,556 € | 11,12 € | 32% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 812-3215
- Referência do fabricante:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4431CDY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 49mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | -0.71V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4431CDY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 49mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf -0.71V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4447ADY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 7.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ4401EY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 17 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4403CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 13.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4435DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo P-Canal Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 4.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4925DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado