MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI7120BDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 14 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 904-972
- Referência do fabricante:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 904-972
- Referência do fabricante:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.021Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.021Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia, lo que proporciona un rendimiento mejorado en diversas aplicaciones electrónicas gracias a sus características avanzadas y su robusta fiabilidad.
La tecnología TrenchFET Gen IV optimiza la eficiencia y reduce la pérdida de potencia
100 % probado para R y UIS, lo que garantiza una fiabilidad constante
La estructura sin plomo (Pb) cumple las normas ambientales
Las características de conmutación optimizadas admiten aplicaciones de alta velocidad
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