MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHK135N65S-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 28 A, N, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
878-898
Referência do fabricante:
SIHK135N65S-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

S

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.121Ω

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para gestionar la conmutación y la conducción de manera eficiente, lo que lo convierte en un componente esencial para diversas aplicaciones de alimentación.

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