MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHH075N65E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

8,44 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 25 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 98,44 €
10 - 495,23 €
50 - 994,06 €
100 +3,47 €

*preço indicativo

Código RS:
735-258
Referência do fabricante:
SIHH075N65E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Serie

E Series

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.08Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

1.05mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
IL

Links relacionados