MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK055N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 42 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 239-8636
- Referência do fabricante:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-8636
- Referência do fabricante:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.056Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 236W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.056Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 236W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 42 A - SIHK055N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para entornos exigentes de conversión de potencia y control de automoción. Funciona en un amplio rango ambiente y se ofrece en un encapsulado compacto de montaje en superficie adecuado para montajes de alta densidad, lo que proporciona un equilibrio de manejo de potencia y capacidad térmica para sistemas electrónicos industriales y de vehículos.
Características y ventajas:
• La clasificación de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 42 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0.056 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 236 W permite un rendimiento de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 54 nC minimiza la energía de conmutación
• La tolerancia de puerta de 30 V garantiza un margen de accionamiento robusto
• La corriente continua de 42 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0.056 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 236 W permite un rendimiento de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 54 nC minimiza la energía de conmutación
• La tolerancia de puerta de 30 V garantiza un margen de accionamiento robusto
Aplicaciones
• Adecuado para interruptores de potencia de etapa de inversor de tracción
• Ideal para salidas de convertidor dc-dc de alta tensión
• Se utiliza con controladores de accionamiento por motor en sistemas de automoción
• Puede utilizarse para la conmutación de fuentes de alimentación industriales
• Adecuado para conjuntos de alta potencia de montaje en superficie
• Ideal para salidas de convertidor dc-dc de alta tensión
• Se utiliza con controladores de accionamiento por motor en sistemas de automoción
• Puede utilizarse para la conmutación de fuentes de alimentación industriales
• Adecuado para conjuntos de alta potencia de montaje en superficie
¿Qué rango térmico puedo esperar al implementar este dispositivo?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta +150 °C, lo que permite el funcionamiento en condiciones ambientales extremas y bajo la capota.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y la refrigeración?
El formato de montaje en superficie PowerPAK 10x12 proporciona un tamaño de perfil bajo que facilita la conducción térmica de PCB y diseños de placa densos.
¿Es este dispositivo adecuado para proyectos de automoción con necesidades de certificación?
Cumple los requisitos AEC-Q101, lo que lo convierte en aplicable a muchos diseños de electrónica de vehículos que requieren componentes de grado automovilístico.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión máxima de puerta a fuente es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben limitar las excursiones dentro de ese rango para evitar la tensión.
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