MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHK055N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 42 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 239-8636
- Referência do fabricante:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-8636
- Referência do fabricante:
- SIHK055N60E-T1-GE3
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.056Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 236W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.056Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 236W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 42 A - SIHK055N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y gestión de potencia en contextos industriales y de automoción exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para montajes en superficie donde se requiere un manejo robusto de alta tensión y un embalaje compacto.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 42 A admite un funcionamiento de carga pesada • La baja Rds(on) de 0,056 Ω reduce las pérdidas por conducción • La carga de puerta típica de 54 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento • La disipación de potencia de 236 W permite un manejo de potencia sostenido • Valor nominal de +150 °C para entornos de temperatura elevada
Aplicaciones
• Apto para etapas de conversión de potencia en automatización industrial • Ideal para circuitos de conmutación de inversor de accionamiento de motor • Se utiliza para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas eléctricos • Se puede utilizar para módulos de gestión de potencia de automoción que requieren certificación AEC-Q101
¿Qué estilo de montaje es necesario para el montaje de la placa?
Se suministra en un encapsulado de superficie PowerPAK 10x12 con ocho contactos diseñados para procesos de soldadura de montaje en superficie y conducción térmica a la PCB.
¿Cómo afecta el requisito de accionamiento de puerta a la selección del controlador?
El dispositivo admite tensiones de fuente de puerta de hasta 30 V y tiene una carga de puerta típica de 54 nC, por lo que los controladores deben suministrar carga suficiente para las transiciones de conmutación deseadas al tiempo que permanecen dentro del límite VGS.
¿Qué condiciones ambientales extremas puede soportar durante el funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas ambiente y de unión en entornos hostiles.
¿Hay homologaciones industriales relevantes para el uso en automoción?
Cumple los estándares AEC-Q101 para semiconductores de automoción y cumple la directiva RoHS sobre restricciones de materiales.
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