MOSFET, N-Canal Vishay SIHK105N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Código RS:: 268-8311
Referência do fabricante:: SIHK105N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SIHK105N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:: 268-8311
Referência do fabricante:: SIHK105N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	53nC
	Disipación de potencia máxima Pd	132W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	9.9mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC
	Disipación de potencia máxima Pd 132W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 9.9mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHK105N60E-T1-GE3

COO (País de Origem):: CN

MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 24 A - SIHK105N60E-T1-GE3

Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para la conmutación de potencia en placas de circuito impreso. Funciona en un amplio rango de temperaturas para entornos industriales y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de potencia significativo y una elevada resistencia a la tensión de drenaje-fuente. El dispositivo está montado en un encapsulado PowerPAK de perfil bajo para facilitar la gestión térmica en conjuntos de PCB.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 24 A admite corrientes de carga pesada
• La baja Rds(on) de 0.1 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación máxima de 132 W mejora el espacio térmico
• La carga de puerta típica de 53 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento
• El límite de puerta Vgs de 30 V permite rangos de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con inversores de accionamiento de motor que requieren alta tensión
• Puede utilizarse para circuitos de corrección del factor de potencia
• Apto para electrónica de interfaz de servicios públicos y energías renovables

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?

El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.

¿Qué consideraciones de embalaje y montaje se aplican al rendimiento térmico?

Se suministra en un encapsulado PowerPAK 10x12 diseñado para montaje en PCB, lo que ayuda a la disipación térmica cuando se combina con planos de cobre adecuados y vias térmicas.

¿Cómo afecta la carga de la puerta a la selección del controlador?

Con una carga de puerta total típica de 53 nC, los controladores deben suministrar corriente suficiente para las velocidades de conmutación deseadas al tiempo que gestionan las pérdidas de accionamiento de puerta.

¿Cuál es la tensión de fuente de puerta máxima admisible?

El Vgs máximo es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben diseñarse para permanecer dentro de ese límite para evitar la tensión del dispositivo.