MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIR178DP-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-503
- Referência do fabricante:
- SIR178DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-503
- Referência do fabricante:
- SIR178DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0029Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Anchura | 5.25mm | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0029Ω | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Anchura 5.25mm | ||
Longitud 6.05mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- TW
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para proporcionar una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Su encapsulado Compact PowerPAK SO-8 garantiza fiabilidad y rendimiento, lo que lo convierte en una opción versátil para la electrónica moderna.
Incorpora la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar la eficiencia
Ofrece una resistencia de conexión muy baja para reducir la pérdida de potencia
Diseñado para funcionar con accionamiento de puerta de baja tensión a 2,5 V
100 % probado para R y UIS para garantizar la calidad y la fiabilidad
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