MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SISS176LDN-T1-UE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-099
Referência do fabricante:
SISS176LDN-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Serie

SISS176LDN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0125Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3mm

Altura

410μm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N Vishay TrenchFET Gen IV tiene una tensión de drenaje de fuente de 70 V y una corriente de drenaje continua de 42,3 A. Dispone de un encapsulado compacto de montaje en superficie PowerPAK 1212-8S, lo que lo convierte en ideal para convertidores dc/dc, rectificación síncrona, control de motores y conmutación de carga.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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