MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIR178DP-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-502
- Referência do fabricante:
- SIR178DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-502
- Referência do fabricante:
- SIR178DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0029Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0029Ω | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.05mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- TW
El MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la energía. Su función principal es optimizar la conducción con baja pérdida de potencia, lo que lo convierte en adecuado para diversas aplicaciones de potencia.
La tecnología TrenchFET Gen IV garantiza un rendimiento superior
La resistencia en estado activo extremadamente baja minimiza las pérdidas por conducción
Admite accionamiento de puerta de baja tensión para mejorar la eficiencia
Completamente probado para la fiabilidad en condiciones R y UIS
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