MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiSD5806DN, VDSS 80 V, ID 64 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
735-136
Referência do fabricante:
SiSD5806DN
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SiS

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0069Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

80V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

4mm

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
El MOSFET de canal N de Vishay está clasificado para una tensión de drenaje de fuente de 80 V, diseñado específicamente para un funcionamiento de baja pérdida en soluciones de servidor de potencia de IA y convertidores dc/dc de alta eficiencia.

Corriente de drenaje continua de 64 A a TC=25 °C

Disipación de potencia máxima de 57 W

Carga de puerta total máxima de 33 nC

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