MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIR692DP-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 100 A, N, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
851-506
Referência do fabricante:
SIR692DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0048Ω

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101 Qualified

Altura

1.04mm

Longitud

6.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
DE
El MOSFET de alto rendimiento de Vishay está diseñado para capacidades de conmutación eficientes en aplicaciones de gestión de potencia. Su estructura robusta garantiza fiabilidad y funcionalidad óptima en diversos entornos exigentes.

Configuración de canal N que proporciona una eficiencia operativa superior

La tecnología ThunderFET mejora el rendimiento al optimizar el equilibrio de resistencia de conexión y características de conmutación

Ofrece una tensión máxima de drenaje-fuente de 250 V, lo que garantiza la idoneidad para aplicaciones de alta tensión

Diseñado con una corriente de drenaje continua máxima de 24,2 A, que se adapta a condiciones de carga extensas

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