MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI3552BDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Modo de mejora, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 847-934
- Referência do fabricante:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 847-934
- Referência do fabricante:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.200Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.15W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS3 Compliant | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.200Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.15W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS3 Compliant | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El MOSFET de potencia de Vishay combina funcionalidades de canal N y P para un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones. Este dispositivo maximiza la eficiencia energética al tiempo que mantiene la fiabilidad en espacios compactos.
La tecnología TrenchFET garantiza una baja resistencia de encendido para una mejor eficiencia
Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V para el canal N y de -30 V para el canal P
Corriente de drenaje continua nominal de hasta 3,7 A para un funcionamiento fiable
Los conductores no contienen halógenos, lo que favorece la sostenibilidad ambiental
Dispone de un encapsulado TSOP-6 compacto para diseños que ahorran espacio
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