MOSFET, N-Canal Vishay SI3462DV-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 904-971
- Referência do fabricante:
- SI3462DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 904-971
- Referência do fabricante:
- SI3462DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.023Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.023Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de conmutación, proporcionando un control fiable en circuitos electrónicos exigentes y garantizando un funcionamiento eficiente en diversos entornos.
La estructura de canal N admite una conmutación eficaz con una resistencia de estado activo mínima
La tensión nominal máxima de drenaje a fuente de 60 V mejora la versatilidad en la aplicación
La baja tensión de umbral de puerta-fuente garantiza la compatibilidad con una amplia gama de circuitos de accionamiento
Optimizado para el rendimiento térmico con una baja resistencia térmica, lo que mejora la eficiencia
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