MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SISS4634LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, Modo de mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines
- Código RS:
- 829-347
- Referência do fabricante:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0285Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0285Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de vanguardia de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia. Destaca en la reducción de la pérdida de potencia relacionada con la conmutación al tiempo que proporciona un rendimiento robusto en diversas aplicaciones.
Incorpora la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar la eficiencia
El dispositivo completamente sin plomo garantiza el cumplimiento de la normativa medioambiental
Las características de carga optimizadas minimizan las pérdidas de energía
Las pruebas exhaustivas Rg y UIS garantizan la fiabilidad
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