MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI3410BDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Modo de mejora, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 829-360
- Referência do fabricante:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-360
- Referência do fabricante:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | SI | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0192Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie SI | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0192Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión de carga eficiente en circuitos electrónicos. Funciona a una tensión máxima de drenaje-fuente de 30 V, lo que optimiza el uso de potencia en diversas aplicaciones.
Proporciona una corriente de drenaje continua máxima de 6 A, lo que garantiza la fiabilidad bajo carga
Dispone de una baja resistencia en estado activo de 0,0192 ohmios a 10 V, lo que ayuda a la eficiencia energética
Fabricado con un encapsulado TSOP-6 compacto, lo que facilita la integración en diseños con limitaciones de espacio
Incorpora tecnología TrenchFET avanzada para mejorar el rendimiento de conmutación
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