MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SIA432BDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.4 A, Modo de mejora, P de 6 pines
- Código RS:
- 829-363
- Referência do fabricante:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | P | |
| Serie | SI | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0192Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 15.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 2.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado P | ||
Serie SI | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0192Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 15.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.05mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 2.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Su estructura robusta permite un funcionamiento fiable en condiciones exigentes.
La tensión de drenaje-fuente de 30 V facilita un rango de aplicación versátil
La resistencia en estado activo máx. de 0,0192 ohmios a 10 V mejora la eficiencia energética
Configurado como un único dispositivo, lo que optimiza el espacio y el rendimiento
Diseñado con tecnología TrenchFET para una capacidad de conmutación superior
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