MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SIR580DP-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 3.4 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- Código RS:
- 829-364
- Referência do fabricante:
- SIR580DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-364
- Referência do fabricante:
- SIR580DP-T1-UE3
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- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | P | |
| Serie | SI | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0192Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado P | ||
Serie SI | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0192Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia. Este componente avanzado destaca en funciones que requieren altos niveles de manejo de corriente y regulación de tensión.
Tecnología TrenchFET Gen V para una eficiencia superior
La baja resistencia en estado activo reduce las pérdidas de potencia
Pruebas exhaustivas de fiabilidad, incluidas pruebas UIS
Optimizado para un valor de mérito R x Q bajo para mejorar el rendimiento
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