MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SISS128LDN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 33.7 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- Código RS:
- 829-346
- Referência do fabricante:
- SISS128LDN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Referência do fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SISS | |
| Encapsulado | P | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0156Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 1.04mm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SISS | ||
Encapsulado P | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0156Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 1.04mm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en un encapsulado compacto, lo que garantiza un funcionamiento fiable en diversas aplicaciones exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV permite mejorar la eficiencia y el rendimiento térmico
Valores de RDS(on) bajos, lo que optimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
Probado para alta fiabilidad con unidades sometidas al 100 % R y UIS
Especificaciones robustas con una tensión nominal de drenaje-fuente de 80 V y una corriente máxima de 33,7 A
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