MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SISS862ADN-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 52 A, Modo de mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines
- Código RS:
- 829-348
- Referência do fabricante:
- SISS862ADN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-348
- Referência do fabricante:
- SISS862ADN-T1-UE3
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- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SISS | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0072Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SISS | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SLW | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0072Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N avanzado de Vishay está diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Proporciona un rendimiento robusto con características de baja resistencia de conexión.
La tensión de funcionamiento de hasta 60 V garantiza la versatilidad en todas las aplicaciones
La resistencia en estado activo muy baja optimiza la eficiencia energética
El área de funcionamiento segura garantizada mejora la fiabilidad en condiciones de alta demanda
Probado exhaustivamente para R y UIS para un rendimiento garantizado
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