MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 12 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 180-7358
- Referência do fabricante:
- SIS412DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 180-7358
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- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 15.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.61mm | |
| Altura | 0.79mm | |
| Anchura | 3.61 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 15.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.61mm | ||
Altura 0.79mm | ||
Anchura 3.61 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado POWERPAK-1212-8 de canal N y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 24mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 15,6W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores de carga
• Ordenadores portátiles
• Alimentación del sistema
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