MOSFET Vishay, N-Canal SIS412DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

Código RS:: 180-7358
Referência do fabricante:: SIS412DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, N-Canal SIS412DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:: 180-7358
Referência do fabricante:: SIS412DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.03Ω
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	15.6W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.61mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Altura	790μm
	Anchura	3.61mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 15.6W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.61mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Altura 790μm
	Anchura 3.61mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - SIS412DN-T1-GE3

Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación de potencia en sistemas electrónicos compactos. Funciona con una tensión máxima de drenaje-fuente de 30 V y admite corrientes de drenaje sostenidas adecuadas para aplicaciones de potencia media. El componente está diseñado para montaje a nivel de placa en diseños donde se requieren pérdidas de conducción bajas y un manejo de potencia moderado, y funciona de manera fiable en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:

• Baja resistencia de encendido de 0,03 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua máxima de 12 A para una mayor capacidad de carga
• Carga de puerta típica Qg 3,8 nC que permite transiciones de conmutación más rápidas
• Disipación de potencia nominal de 15,6 W para un rendimiento térmico sostenido
• Tolerancia de tensión de fuente de puerta de ±20 V para mayor flexibilidad de accionamiento
• Rango de funcionamiento de –55 a 150 °C para un uso a gran temperatura

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores reductores síncronos en fuentes de alimentación compactas
• Ideal para etapas de gestión de baterías y distribución de potencia
• Se utiliza con controladores de motor que requieren conmutación de alta corriente
• Puede utilizarse para interruptores de carga en equipos de telecomunicaciones
• Útil en controladores LED donde Rds(on) bajo reduce el calor

¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para la planificación de la huella?

El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK 1212‐8 de 3,61 x 3,61 mm, lo que permite diseños de PCB de alta densidad y un contacto térmico eficiente con planos de cobre.

¿Cómo se comporta el dispositivo térmicamente bajo carga?

Con su disipación de potencia máxima de 15,6 W, el dispositivo requiere un diseño térmico de PCB adecuado, ya que el calor de unión a ambiente debe gestionarse para mantenerse dentro de la temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.

¿Qué características de conmutación afectan a la selección del controlador?

Con una carga de puerta típica de 3,8 nC, el accionamiento de puerta debe suministrar impulsos de corriente corta durante las transiciones

Esto reduce las pérdidas de conmutación, pero requiere tener en cuenta la corriente de pico del controlador y la resistencia de puerta.

¿Hay límites de conducción inversa para su uso en circuitos síncronos?

La tensión directa se especifica en 1,2 V, por lo que el comportamiento de conducción y recuperación del diodo de cuerpo debe evaluarse en topologías de rectificación síncrona para evaluar las pérdidas durante eventos de corriente inversa.