Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT240R70ILB, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

1,19 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 08 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +1,19 €

*preço indicativo

Código RS:
719-636
Referência do fabricante:
SGT240R70ILB
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Transistor

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

G-HEMT

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

240mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

76W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

8.1mm

COO (País de Origem):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 10 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

Links relacionados