Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT080R70ILB, VDSS 700 V, ID 29 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-632
- Referência do fabricante:
- SGT080R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
4,49 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,49 € |
| 10 - 99 | 3,16 € |
| 100 - 499 | 2,72 € |
| 500 - 999 | 2,64 € |
| 1000 + | 2,57 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 719-632
- Referência do fabricante:
- SGT080R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Transistor | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -6, 7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Transistor | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie G-HEMT | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -6, 7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Anchura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V y 29 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.
Modo de mejora normalmente apagado transistor
Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero
Protección ESD
Links relacionados
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT240R70ILB, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT140R70ILB, VDSS 700 V, ID 17 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT105R70ILB, VDSS 700 V, ID 21.7 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT190R70ILB, VDSS 700 V, ID 11.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT070R70HTO, VDSS 700 V, ID 26 A, Mejora, TO-LL de 13 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STL42P6LLF6, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines