Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT080R70ILB, VDSS 700 V, ID 29 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

2,62 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +2,62 €

*preço indicativo

Código RS:
719-632
Referência do fabricante:
SGT080R70ILB
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Transistor

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

8.1mm

COO (País de Origem):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V y 29 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.

Modo de mejora normalmente apagado transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima

Carga de recuperación inversa cero

Protección ESD

Links relacionados