Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT190R70ILB, VDSS 700 V, ID 11.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-635
- Referência do fabricante:
- SGT190R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-635
- Referência do fabricante:
- SGT190R70ILB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | Transistor | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -6, 7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Anchura | 8.1mm | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto Transistor | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie G-HEMT | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -6, 7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Anchura 8.1mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 11,5 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable.
Modo de mejora normalmente apagado transistor
Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero
Protección ESD