MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STL059N4S8AG, VDSS 40 V, ID 420 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 820-272
- Referência do fabricante:
- STL059N4S8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
1,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 16 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,64 € |
| 10 - 24 | 1,45 € |
| 25 - 99 | 1,30 € |
| 100 - 499 | 1,12 € |
| 500 + | 0,94 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 820-272
- Referência do fabricante:
- STL059N4S8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 420A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL059N | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.85mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 275nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 420A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL059N | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.85mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 275nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 40 V de STMicroelectronics está diseñado en Smart STripFET F8, la nueva tecnología basada en STripFET F8 dedicada dirigida a aplicaciones de distribución de potencia, con una estructura de puerta de trinchera mejorada.
Certificación AEC-Q101
Grado MSL1
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
100 % a prueba de avalancha
Encapsulado de flanco húmedo
RDS(on) extremadamente bajo
Nivel de lógica