MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IPB020N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 122 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

2,70 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 799 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 92,70 €
10 - 991,75 €
100 - 4991,20 €
500 - 7991,06 €
800 +0,91 €

*preço indicativo

Código RS:
762-989
Referência do fabricante:
IPB020N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

122A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PG-TO263-3

Serie

StrongIRFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.05mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.67mm

Altura

4.83mm

Longitud

15.88mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El transistor de potencia StrongIRFET 2 de Infineon es un MOSFET de canal N de 30 V adecuado para diversas aplicaciones. Funciona en condiciones extremas, con una temperatura nominal máxima de 175 °C y cumple la normativa ambiental.

100 % a prueba de avalancha

Tiene chapado de cable sin plomo.

Conforme a RoHS

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.