MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IPB018N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 125 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines

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Código RS:
762-987
Referência do fabricante:
IPB018N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

125A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

StrongIRFET

Encapsulado

PG-TO263-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Longitud

15.88mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El transistor de potencia StrongIRFET 2 de Infineon es un MOSFET de canal N de 30 V adecuado para diversas aplicaciones. Funciona en condiciones extremas, con una temperatura nominal máxima de 175 °C y cumple la normativa ambiental.

100 % a prueba de avalancha

Tiene chapado de cable sin plomo.

Conforme a RoHS

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

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