MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2776
- Referência do fabricante:
- IPB65R050CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
10,37 €
Adicione 8 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 116 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 49 | 10,37 € |
| 50 - 99 | 9,41 € |
| 100 - 249 | 8,65 € |
| 250 - 499 | 7,97 € |
| 500 + | 7,41 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2776
- Referência do fabricante:
- IPB65R050CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.05Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 102nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.05Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 102nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS CFD7A de 650 V. Se trata de una última generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión, calificados para automoción y líderes en el mercado, de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la nueva serie CoolMOS CFD7A proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado y se puede utilizar para PFC y topologías de conmutación de resonancia como el puente completo de desplazamiento de fase ZVS y LLC.
Pérdidas de conmutación más bajas
Alta calidad y fiabilidad
Prueba de avalancha al 100 %
Optimizado para tensiones de batería más altas
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R115CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R099CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB057N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines, 1