MOSFET, N-Canal Infineon IPB068N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 134 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-400
- Referência do fabricante:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidade)*
8,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 982 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,29 € |
| 10 - 99 | 7,45 € |
| 100 - 499 | 6,89 € |
| 500 - 999 | 6,38 € |
| 1000 + | 5,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-400
- Referência do fabricante:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 134A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 134A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie OptiMOS-TM6 de Infineon, disipación de potencia máxima de 300 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V - IPB068N20NM6ATMA1
Características y ventajas:
• La baja Rds(on) de 6,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción a altas corrientes
• La corriente de drenaje continua 134 A admite aplicaciones de alta corriente
• La disipación de potencia de 300 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 73 nC proporciona transiciones de puerta más rápidas
• El rango de funcionamiento de -55 a 175 °C soporta entornos de temperatura exigentes
Aplicaciones
• Ideal para convertidores dc-dc en carriles de alta tensión
• Se utiliza con controladores de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para interruptores de carga en sistemas de alimentación industriales
• Apto para módulos de gestión de potencia de alta temperatura
¿Qué método de montaje es necesario para un contacto térmico fiable?
¿Cómo afecta el requisito de accionamiento de puerta al diseño de conmutación?
¿Qué condiciones ambientales puede soportar?
¿Qué límites eléctricos protegen contra sobretensión?
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB057N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R115CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB339N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 39 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R099CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
