MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB339N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 39 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-401
- Referência do fabricante:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-401
- Referência do fabricante:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 200 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Ofrece una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que garantiza unas pérdidas de conducción mínimas. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. Este MOSFET también registra una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que mejora la eficiencia global.
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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