MOSFET, N-Canal Infineon AIMBG75R050M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines

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Código RS:
762-870
Referência do fabricante:
AIMBG75R050M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PG-TO263-7

Serie

AIMBG75R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

169nC

Disipación de potencia máxima Pd

234W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET SiC de alto rendimiento de Infineon está diseñado para mejorar la eficiencia en aplicaciones de automoción al facilitar una conversión y gestión de potencia eficaces.

Dispone de tecnología de 750 V muy robusta con prueba de avalancha al 100 %

Proporciona una eficiencia superior en conmutación dura y altas frecuencias de conmutación

Ofrece la mejor disipación térmica de su clase para un funcionamiento fiable

Incluye diodo ESD integrado para mayor robustez

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