MOSFET, N-Canal Infineon AIMBG75R060M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 762-872
- Referência do fabricante:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
7,91 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 11 de outubro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,91 € |
| 10 - 99 | 5,38 € |
| 100 - 499 | 4,49 € |
| 500 - 999 | 4,09 € |
| 1000 + | 3,74 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 762-872
- Referência do fabricante:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 169nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET SiC de alto rendimiento de Infineon está diseñado para mejorar la eficiencia en aplicaciones de automoción al facilitar una conversión y gestión de potencia eficaces.
Ofrece una robusta tecnología de 750 V, lo que garantiza una alta fiabilidad en aplicaciones exigentes
Dispone de una capacidad de disipación térmica superior para mejorar el rendimiento
Admite una mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación dura, lo que minimiza la pérdida de energía
Incluye protección ESD integrada para salvaguardar la integridad del circuito
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R007M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R040M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R050M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R025M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Infineon AIMBG75R033M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R027M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R040M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 47 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R020M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 81 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines