MOSFET, N-Canal Infineon AIMBG75R033M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines

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Código RS:
762-868
Referência do fabricante:
AIMBG75R033M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Serie

AIMBG75R

Encapsulado

PG-TO263-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

169nC

Disipación de potencia máxima Pd

234W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.2mm

Anchura

9.8mm

Altura

15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de Infineon está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta tensión, como cargadores integrados y convertidores dc-dc, lo que garantiza fiabilidad y eficiencia en entornos exigentes.

Dispone de tecnología de 750 V muy robusta con excelentes pruebas de avalancha

Proporciona una disipación térmica superior y pérdidas de conmutación reducidas

Ofrece mayor eficiencia en topologías de conmutación dura y suave

Incorpora tecnología de fijación de matriz patentada para mejorar la fiabilidad

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