MOSFET, N-Canal Infineon AIMBG75R007M2HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 762-866
- Referência do fabricante:
- AIMBG75R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-866
- Referência do fabricante:
- AIMBG75R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie AIMBG75R | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de automoción, que ofrece capacidades de conmutación eficientes y una fiabilidad robusta en entornos exigentes.
Funciona a una tensión máxima de drenaje-fuente de 750 V con una gestión térmica excepcional
Dispone de la mejor RDS(on) de su clase para mejorar la eficiencia energética
Garantiza una robustez mejorada para tensiones de bus superiores a 500 V
Permite frecuencias de conmutación más altas en topologías de conmutación suave
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