MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R020M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 81 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-206
- Referência do fabricante:
- AIMBG75R020M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
21,39 €
Adicione 4 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 10 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 21,39 € |
| 10 - 99 | 19,26 € |
| 100 + | 17,76 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-206
- Referência do fabricante:
- AIMBG75R020M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 326W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 326W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET CoolSiC de 750 V de Infineon está fabricado sobre tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada en Infineon a lo largo de más de 20 años. Aprovechando las características materiales del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Apto para altas temperaturas y operaciones exigentes, permite alcanzar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema.
Tecnología de fijación de chip propiedad de Infineon
Pin fuente de controlador disponible
Mayor robustez y fiabilidad para tensiones de bus superiores a 500 V
Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)
Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave
Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta
Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R140M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 17 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R027M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R016M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 98 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R060M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R040M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 47 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R090M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines, 1
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R007M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 238 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines