MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 735-257
- Referência do fabricante:
- SIHG110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
4,86 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 15 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,86 € |
| 10 - 49 | 3,01 € |
| 50 - 99 | 2,33 € |
| 100 + | 1,57 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-257
- Referência do fabricante:
- SIHG110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | SF Series | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.31mm | |
| Anchura | 15.87 mm | |
| Longitud | 20.82mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie SF Series | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.31mm | ||
Anchura 15.87 mm | ||
Longitud 20.82mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG050N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 64 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG080N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG100N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG026N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 88 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHG041N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 74 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines