MOSFET, N-Canal Vishay SIRS4300DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- Código RS:
- 735-147
- Referência do fabricante:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 735-147
- Referência do fabricante:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 680A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8S | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0004Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 680A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8S | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0004Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está clasificado para una tensión de drenaje de fuente de 30 V, diseñado para rectificación síncrona de pérdida ultrabaja en convertidores reductores de servidor de potencia de IA y sistemas de suministro de potencia de alta corriente. Alcanza una resistencia de conexión excepcionalmente baja de 400 μΩ a 10 V para maximizar la eficiencia en aplicaciones de alta densidad extrema.
Disipación de potencia nominal de 278 W
Construcción 100 % probada Rg y UIS
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