MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS5100DP, VDSS 100 V, ID 241 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- Código RS:
- 735-162
- Referência do fabricante:
- SiRS5100DP
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
3,52 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 14 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,52 € |
| 10 - 49 | 2,18 € |
| 50 - 99 | 1,68 € |
| 100 + | 1,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-162
- Referência do fabricante:
- SiRS5100DP
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 241A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8S | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0025Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión directa Vf | 100V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 241A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8S | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0025Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión directa Vf 100V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente
Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C
Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida
Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4400DP, VDSS 40 V, ID 473 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4302DP, VDSS 30 V, ID 518 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4300DP, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4600DP, VDSS 60 V, ID 359 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS5800DP, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS5100DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISS5207DN-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS516DN-T1-UE3, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines