MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIRS4300DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-095
- Referência do fabricante:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
6 021,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,007 € | 6 021,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-095
- Referência do fabricante:
- SIRS4300DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 680A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIRS4300DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00040Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.10mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Anchura | 5.10 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 680A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIRS4300DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00040Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.10mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Anchura 5.10 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIRS5700DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 144 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIRS5702DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 119 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIR5812DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 144 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 119 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines