MOSFET, N-Canal Vishay SIRS4400DP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 473 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- Código RS:
- 735-143
- Referência do fabricante:
- SIRS4400DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
4,96 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 6000 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,96 € |
| 10 - 49 | 3,08 € |
| 50 - 99 | 2,38 € |
| 100 + | 1,79 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-143
- Referência do fabricante:
- SIRS4400DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 473A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SiR | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00069Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión directa Vf | 40V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 473A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SiR | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00069Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión directa Vf 40V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente
Disipación de potencia máxima de 278 W a TC=25 °C
Carga de puerta total típica de 195 nC
100 % probado Rg y UIS para mayor fiabilidad
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4300DP, VDSS 30 V, ID 680 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4600DP, VDSS 60 V, ID 359 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS4400DP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 440 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS5800DP, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS5100DP, VDSS 100 V, ID 241 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4302DP, VDSS 30 V, ID 518 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR5802EP, VDSS 80 V, ID 153 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR402EP, VDSS 40 V, ID 291 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines