MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRS4400DP, VDSS 40 V, ID 473 A, Mejora, PowerPAK SO-8S de 8 pines

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Código RS:
735-143
Referência do fabricante:
SiRS4400DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

473A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00069Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

40V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

195nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6mm

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Disipación de potencia máxima de 278 W a TC=25 °C

Carga de puerta total típica de 195 nC

100 % probado Rg y UIS para mayor fiabilidad

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