MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL270N6LF7, VDSS 60 V, ID 268 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 719-657
- Referência do fabricante:
- STL270N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 719-657
- Referência do fabricante:
- STL270N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 268A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 268A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
Nivel lógico VGS(th)
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