MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -48.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-194
- Referência do fabricante:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
0,78 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5990 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,78 € |
| 25 - 99 | 0,76 € |
| 100 - 499 | 0,74 € |
| 500 - 999 | 0,64 € |
| 1000 + | 0,59 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-194
- Referência do fabricante:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -48.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIR4411DP | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.011Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Anchura | 6.25 mm | |
| Altura | 0.61mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -48.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIR4411DP | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.011Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.15mm | ||
Anchura 6.25 mm | ||
Altura 0.61mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal P de Vishay TrenchFET Gen IV tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 40 V. Dispone de un bajo RDS(on) y un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en adecuado para la gestión de potencia de alta eficiencia. Envasado en un PowerPAK SO-8 compacto, es ideal para convertidores dc/dc, conmutación de carga y gestión de batería en diseños con poco espacio.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SIR4411DP-T1-GE3, VDSS -40 V, ID -48.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 62.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 64 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
