MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 172 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-149
- Referência do fabricante:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-149
- Referência do fabricante:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 172A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SISS5208DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0013Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 7 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.40mm | |
| Anchura | 3.40 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 172A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SISS5208DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0013Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 7 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.40mm | ||
Anchura 3.40 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 20 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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