MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 2.17 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 fita de 1 unidade)*

0,24 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • 5950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Fita(s)
Por Fita
1 - 240,24 €
25 - 990,22 €
100 - 4990,19 €
500 - 9990,17 €
1000 +0,14 €

*preço indicativo

Código RS:
653-087
Referência do fabricante:
SI2122DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SI2122DS

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.160Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación compacta y de alta eficiencia en aplicaciones de baja potencia. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en un formato SOT-23, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un bajo RDS(on), conmutación rápida y un rendimiento térmico eficiente en diseños de espacio limitado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Se utiliza en retroiluminación de LED

Links relacionados