MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 5.9 A, Mejora, PowerPAK de 7 pines

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Código RS:
653-094
Referência do fabricante:
SIB4122DK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIB4122DK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.160Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.6mm

Anchura

1.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SC-75, utiliza la tecnología ThunderFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico en diseños de espacio limitado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Se utiliza en retroiluminación de LED

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